IG20 5 keV 氬氣／氧氣離子槍－UHV 表面分析離子源

IG20 使用 Electron Impact Gas Ion Source 將 Oxygen、Argon、Xenon 或其他適用氣體離子化，再利用 Ion Optics 形成可控制的 Primary Ion Beam。

Hiden 官方將 IG20 定位為 SIMS、Auger 與 XPS 的 Primary Ion Source，可用於 Imaging 與 Depth Profiling。

除了材料分析之外，IG20 的 Internal Raster Scan 與廣泛 Beam Operating Range 也使其適合 Sample Cleaning、Controlled Sputtering 與其他 Surface Science Experiments。

在 Hiden SIMS Workstation 中，IG20 常作為 Oxygen Primary Ion Source，搭配 MAXIM 或 EQS SIMS Analyzer 進行 Positive Secondary Ion Analysis、Thin Film Depth Profiling 與 Elemental Mapping。

在 SIMS Analysis 中，不同 Primary Ion Species 會直接影響 Secondary Ion Yield。

Oxygen Bombardment 常用於提升 Electropositive Elements 的 Positive Secondary Ion Yield，因此 IG20 是 Hiden SIMS Workstation 進行 Positive SIMS Depth Profiling 的重要 Primary Ion Source。

IG20 不僅能作為 SIMS Primary Ion Gun，也可整合至 XPS 與 Auger Electron Spectroscopy System 作為 Sputter Source。

在 XPS Depth Profiling 中，IG20 逐層去除材料表面，再由 XPS 分析不同深度位置的 Elemental Composition 與 Chemical State。

在 AES / Auger 分析中，同樣可利用 Ion Sputtering 研究 Surface Contamination、Oxide Layers、Thin Films、Multilayer Structures 與 Material Interfaces。

IG20 的 Ion Gun Operating Parameters 可與 Hiden Surface Analysis Software 整合，進行 Beam Condition、Raster Area 與 Analysis Setup 控制。

Hiden Surface Analysis Ion Gun System 亦提供 Electron-Suppressed Faraday Measurement，可用於 Beam Current 與 Profile Diagnostics。

對 SIMS 與 Depth Profiling 而言，Primary Ion Current、Beam Shape、Raster Area 與 Spot Size 會直接影響 Sputter Rate、Crater Geometry、Depth Resolution 與分析 Repeatability。

因此建立可重複的 Beam Setup，是長時間 Surface Analysis 與不同批次 Sample Comparison 的重要條件。

IG20 是 Hiden SIMS Workstation 的主要 Gas Primary Ion Source 之一，可搭配 MAXIM SIMS / SNMS Analyzer 或 EQS SIMS Analyzer 使用。

在完整 Hiden SIMS System 中，Ion Gun Rastering、Mass Spectrometer Data Acquisition、Depth Profiling 與 Imaging 可整合為同一分析工作流程。

若整合至第三方 XPS、AES 或 Custom UHV Chamber，則需在系統設計階段確認 Chamber Port、Working Distance、Incidence Angle、Raster Area、Sample Stage Movement 與其他分析元件的 Mechanical Clearance。