氫氣接觸金屬後，可能進入材料並造成氫脆。直接量測氫氣穿透材料的通量，有助於理解氫傳輸行為，並支持氫能設備的材料評估。

高氣密滲透池結合超高真空質譜

牛津大學團隊建立氣態氫滲透平台，將薄膜試片置於兩個腔室之間：上游施加受控氫氣環境，下游維持超高真空，以質譜量測穿透試片後釋放的氫氣。

下游偵測採用 Hiden HAL/3F RC 201 PIC 四極桿質譜儀，並以認證氫氣漏孔校正。整套平台達到 1.98 × 10⁻⁹ mol H/(m²·s) 的氫通量檢測極限；此數值以氫原子莫耳數表示，屬於研究平台整體表現。

表面氧化層可能主導量測結果

研究發現，室溫下僅數奈米厚的原生鐵氧化層，就可能大幅限制甚至抑制氫滲透。微量殘留氧也會影響氫進入表面的行為，因此試片前處理與背景氣體控制都十分重要。

區分表面效應與材料內部傳輸

平台同時監測氫氣、氧氣、水蒸氣與氮氣，協助辨識背景氣體造成的影響。改善表面與環境控制後，團隊得以量測純鐵的本質氫傳輸行為，提高研究結果的可比較性。

Hiden 真空質譜｜氫滲透研究整合

恩詠有限公司可依滲透池、真空背景、目標氫通量、校正方式與偵測器需求，協助評估 Hiden 真空質譜整合配置。

研究來源

研究單位：University of Oxford，Department of Engineering Science，Hydrogen Embrittlement Laboratory。
研究團隊：Rongrui Li、Alfredo Zafra、Zachary D. Harris、Emilio Martínez-Pañeda。
研究機型：Hiden HAL/3F RC 201 PIC。

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