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一系列用於殘餘氣體分析的離子源選項

 

Hiden生產了多種離子源類型,可以安裝在我們全系列的RGA中。離子源類型對RGA的性能至關重要,能夠指定您所需要的離子源,可以確保我們的RGA為特定的應用進行定制配置。


 

 

概述

標準RGA:一般應用的徑向對稱配置。


UHV低輪廓:優化用於UHV TPD研究,使離子源更接近演化表面。


封閉源:用於高壓研究,直接輸入氣體,與分析器的差分泵階段一起使用。


XBS交叉光束:專門配置用於MBE沉積率監測和控制。


基本交叉光束:用於分析分子束,其中光束可能會在電離器表面凝結。該源的特點是通過源的電離區有一條無障礙通道。可使用外部護罩來保護四極品質篩檢程式免受凝結物的影響。


鐳射交叉束源:包括兩個正交的無障礙通道,用於源籠區域內的鐳射質子電離,提供電子撞擊和電子附著電離的替代方案。


4個透鏡離子光學系統與集成電離器:此外,還可以分析分析儀外部產生的低能量正離子和負離子。用於電子、光子和鐳射激發的解吸研究。


鉑金離子源:這種源的配置是為了改善在反應性氣體中的操作。徑向對稱,相容UHV。


鍍金離子源:這種離子源的配置是為了最大限度地減少源放氣的影響。徑向對稱,相容UHV。可作為標準或低矮的選項。

   

 

 

產品特色

 

 

標準的燈絲材料是氧化塗層的銥合金

 

  可根據要求提供其他材料
 

  離子源選項是可以互換的
 

  可提供開放式和封閉式離子源
 

  可提供一系列的交叉束源
 

  可提供標準和低矮的選項
       

 

 

下載

 
    演講稿:  
  用於殘餘氣體分析的質譜儀 - RGA | 用於真空環境的應用  
  RGA離子源 | 電子衝擊離子源  
       
       
   
 

相關產品

 
  RGA Series  
  EPIC  
  IDP  
  3F-PIC  
       
   

 

一系列用於殘餘氣體分析的離子源選項

 

Hiden生產了多種離子源類型,可以安裝在我們全系列的RGA中。離子源類型對RGA的性能至關重要,能夠指定您所需要的離子源,可以確保我們的RGA為特定的應用進行定制配置。

 

 

概述

標準RGA:一般應用的徑向對稱配置。


UHV低輪廓:優化用於UHV TPD研究,使離子源更接近演化表面。


封閉源:用於高壓研究,直接輸入氣體,與分析器的差分泵階段一起使用。


XBS交叉光束:專門配置用於MBE沉積率監測和控制。


基本交叉光束:用於分析分子束,其中光束可能會在電離器表面凝結。該源的特點是通過源的電離區有一條無障礙通道。可使用外部護罩來保護四極品質篩檢程式免受凝結物的影響。


鐳射交叉束源:包括兩個正交的無障礙通道,用於源籠區域內的鐳射質子電離,提供電子撞擊和電子附著電離的替代方案。


4個透鏡離子光學系統與集成電離器:此外,還可以分析分析儀外部產生的低能量正離子和負離子。用於電子、光子和鐳射激發的解吸研究。


鉑金離子源:這種源的配置是為了改善在反應性氣體中的操作。徑向對稱,相容UHV。


鍍金離子源:這種離子源的配置是為了最大限度地減少源放氣的影響。徑向對稱,相容UHV。可作為標準或低矮的選項。

 

產品特色

 

標準的燈絲材料是氧化塗層的銥合金

 

可根據要求提供其他材料

 

離子源選項是可以互換的

 

可提供開放式和封閉式離子源

 

可提供一系列的交叉束源

 

可提供標準和低矮的選項

     

 

 

下載

 
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