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高壓電纜半導電遮蔽料表面光潔度檢測系統

HAPRO 高壓電纜半導電遮蔽料表面光潔度檢測系統

SURFACE FINISH DETECTION SYSTEM

高壓電纜半導電遮蔽料表面光潔度檢測系統

整合低溫擠出流延與高速機器視覺量測技術, 用於分析高壓電纜半導電遮蔽材料 表面凸起尺寸、數量與分布狀況。

系統採高速視覺相機與特殊 LED 線掃描光源, 可於材料連續成膜過程進行即時表面量測, 並同步進行標定與校正, 提升量測穩定性與重現性。

  • 凸起高度解析度 20 μm
  • 最小量測寬度 30 μm
  • 檢測寬度 44 mm

系統概述

Surface defect and protrusion measurement for semiconductive cable shielding compounds.

高壓電纜半導電遮蔽料表面光潔度檢測系統, 結合高分子材料低溫擠出流延 與高速機器視覺量測技術, 用於研究半導電遮蔽材料表面凸起與表面品質。

高速視覺相機搭配特殊 LED 線掃描光源, 可於材料連續移動過程中 即時擷取表面資訊, 並分析凸起尺寸與分布情形。

系統可同步量測試樣與標定區域, 進行即時標定與校正, 降低量測環境與機構變化對結果的影響。

高壓電纜材料品質評估

交聯聚乙烯絕緣高壓電力電纜 通常由絕緣層與半導電層共同形成絕緣系統。 半導電材料多由聚烯烴彈性體 與高結構炭黑等材料共混製成, 作為電纜絕緣層電場的邊界層。

半導電層與絕緣層於製程中共同擠出, 可降低介面氣隙形成的可能性。 然而,若半導電層與絕緣層接觸介面 存在明顯凸起物, 可能形成局部電場集中。

因此, 半導電遮蔽料表面凸起物的尺寸、 數量與分布, 是高壓電纜半導電材料品質研究 與製程控制的重要評估項目。

核心規格

20 μm 凸起高度解析度
30 μm 最小量測寬度
44 mm 檢測寬度
100% 檢出率

主要特色

低溫擠出流延與表面量測整合
高速機器視覺檢測技術
特殊 LED 線掃描光源
表面凸起高度解析度 20 μm
最小成像寬度 10 μm
最小量測尺寸寬度 30 μm
試樣與標定區同步量測
適用高壓電纜半導電遮蔽材料

設備操作影片

HAPRO Surface Finish Detection System demonstration.

主要應用

高壓電纜半導電遮蔽料
半導電材料表面凸起分析
XLPE 電纜材料研究
表面光潔度評估
材料配方比較
炭黑分散品質研究
電纜材料品質控制
擠出成膜製程研究
高分子材料表面分析

擠出系統規格

規格項目 規格
電源 3 × 380 V,50 / 60 Hz,+N +PE
驅動馬達 施耐德伺服馬達
馬達功率 1.8 kW
減速比 1:35
螺桿直徑 20 mm
螺桿長徑比 25:1
螺桿材質 進口高強度合金鋼
螺桿壓縮比 1.5:1
溫控系統 日本 RKC,加熱/冷卻雙 PID 控制
餵料方式 體積式餵料
最高可控溫度 350 °C
溫度感測器 J 型熱電偶
加熱區 4 區加熱
螺筒 3 區加熱/冷卻,模具 1 區加熱
加熱方式 電加熱
加熱總功率 4.0 kW
冷卻方式 風冷
口模尺寸 60 × 1.5 mm

流延成膜系統規格

規格項目 規格
電源 3 × 380 V,50 / 60 Hz,+N +PE
流延輥尺寸 Ø200 × 200 mm
流延輥中心高度 1022 mm
流延成膜寬度 25–30 mm
流延成膜厚度 0.5 ± 0.02 mm
流延輥溫控方式 冷熱一體機恆溫控制
流延輥驅動馬達功率 伺服馬達,640 W
牽引輥驅動馬達功率 伺服馬達,640 W

光學檢測系統規格

規格項目 規格
量測厚度 0.4–0.5 mm
凸起高度解析度 20 μm
視場寬度 0–75 mm
檢測寬度 44 mm
最小成像寬度 10 μm
最小量測尺寸寬度 30 μm
檢出率 100%
測試速度 >1 kg/h
環境潔淨度 Class 10,000
操作溫度 0–40 °C
收膜速度 0–110 mm/s
環境濕度 <65%
量測輥直徑 40 mm
量測輥同軸精度 3 μm
測試光源 220 mm 線掃描光源

表面光潔度檢測技術重點

  • 高壓電纜半導電遮蔽料研究
  • 低溫擠出流延成膜
  • 高速機器視覺檢測
  • 表面凸起尺寸分析
  • 凸起高度解析度 20 μm
  • 最小成像寬度 10 μm
  • 最小量測寬度 30 μm
  • 44 mm 有效檢測寬度
  • 100% 檢出率
  • 測試速度 >1 kg/h
  • 同步標定與校正
  • 適合電纜材料品質控制